Le présent travail effectué au sein du laboratoire « capteur et système microélectronique »
dans l'institut électronique du sud (IES) en France, s’inscrit dans le cadre du projet de fin
d’études à l’Ecole Nationale d’ingénieurs de Sousse pour l’obtention du Diplôme d’ingénieur
en électronique industrielle. Le but du projet est d’étudier une solution proposée face au
problème de l'utilisation de silicium dans les transistors actuels qui menace le progrès de la
technologie ainsi que la loi de Moore, par la pensée au germanium. Cela est traduit, dans un
premier lieu par l’étude expérimentale de la caractérisation et la modélisation en bruit des
transistors MOSFETs SiGe sur SOI, un projet pour le laboratoire CEA Leti Grenoble. La
seconde partie étudie les vieillissements des transistors MOS de puissance qui concerne la
société Schlumberger France. Durant ce projet, nous avons pris en main la méthodologie
d’extraction des paramètres de conduction et le bruit 1/f et ses origines dans les transistors
MOS, ainsi que l’extraction et l’analyse des informations à partir des courbes des expériences.
Aussi, nous avons maîtrisé l’utilisation des appareils professionnels qui sont très demandés
dans le domaine industriel
POUR LIRE LA SUITE DE RAPPORT CLIC SUR LE LIEN http://www.clictune.com/id=84522
Aucun commentaire:
Enregistrer un commentaire